Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB596.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 80 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 4 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 3 MHz.
Collector Capacitance (Cc): 130 pF.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40.
Package: TO220.
1,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|