Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB678.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 8 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1.5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 4000.
Package: TO5-1.
4,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|