Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SC867.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 23 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 400 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 125 °C.
Transition Frequency (ft): 4 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40.
Package: TO66.
22,00 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|