Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD1279.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 50 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1400 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 600 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 3 MHz.
Collector Capacitance (Cc): 165 pF.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 8.
Package: TO3.
12,50 €
Μόνο 1 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|