Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD415.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 5 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 120 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.8 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C.
Transition Frequency (ft): 40 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40.
Package: TO126.
3,50 €
Σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|