Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 117 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C.
Transition Frequency (ft): 4 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 60.
Package: TO3.
2,60 €
Μόνο 9 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|