Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 2200 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 8.
Package: TO3.
Made in Japan.
8,80 €
Μόνο 2 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|