Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1000 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C.
Transition Frequency (ft): 2 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15.
Package: TO3.
6,50 €
Σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|