Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 800 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 2 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 5 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 5.
Package: TOP66.
1,50 €
Σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|