Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Mosfet |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SK538.
Type of Transistor: MOSFET.
Type of Control Channel: N -Channel.
Maximum Power Dissipation (Pd): 100 W.
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 900 V.
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V.
Maximum Drain Current |Id|: 3 A.
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Rise Time (tr): 55 nS.
Drain-Source Capacitance (Cd): 120 pF.
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 3.3 Ohm.
Package: 2-16C1B.
12,50 €
Μόνο 3 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Mosfet |
---|