Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 50 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 400 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 15 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C.
Transition Frequency (ft): 25 MHz.
Collector Capacitance (Cc): 100 pF.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 20.
Package: TO3.
5,50 €
Μόνο 1 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|