Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD1402.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 120 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1500 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 800 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 3 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 8.
Package: TO247.
6,50 €
Μόνο 2 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|