Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD639.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.6 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 135 °C.
Transition Frequency (ft): 100 MHz.
Collector Capacitance (Cc): 6 pF.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 60.
Package: X73.
1,00 €
Μόνο 10 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|