Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD675.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 160 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 140 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 12 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 4 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 35.
Package: TO3.
12,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|