Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD680.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 90 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 6 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 7000.
Package: TO3.
2,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|