Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD916.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 30 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 80 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 800.
Package: TO220.
2,90 €
Μόνο 10 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|