Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD947.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 25 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 1800 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 130 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 4.
Package: TO66.
3,50 €
Σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|