Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SD986.
Material of Transistor: Si.
Polarity: NPN.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 150 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 8 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1.5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15000.
Package: TO126.
2,50 €
Μόνο 2 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|