Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type of Transistor:BJT.
Type Designator:2SA1601.
Material of Transistor:Si.
Polarity:PNP.
Maximum Collector Power Dissipation:45 W.
Maximum Collector-Base Voltage:60 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage:60 V.
Maximum Emitter-Base Voltage:5 V.
Maximum Collector Current:15 A.
Maximum Operating Junction Temperature:175 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE Value):90.
Package: X104-1.
3,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|