Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB1035.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.9 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 25 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 4 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 185 °C.
Transition Frequency (ft): 50 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 200.
Package: TO92.
1,00 €
Μόνο 10 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|