Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB172.
Material of Transistor: Ge.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.125 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 32 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.125 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 75 °C.
Transition Frequency (ft): 0.4 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50.
Package: TO1.
2,50 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|