Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB646.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.9 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 100 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.05 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 125 °C.
Transition Frequency (ft): 70 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 60.
Package: TO92.
2,00 €
Μόνο 6 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|