Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB772.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 40 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 40 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 3 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 40 MHz.
Collector Capacitance (Cc): 55 pF.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 160.
Package: TO126.
2,50 €
Μόνο 2 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|