Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB827.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C.
Transition Frequency (ft): 5 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 70.
Package: TO218.
4,50 €
Μόνο 4 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|