Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB869.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 40 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 130 V.
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 100 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C.
Transition Frequency (ft): 15 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50.
Package: TO220.
2,50 €
Μόνο 8 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|