Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB895.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 5 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 8000.
Package: TO126.
1,20 €
Μόνο 5 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|