Επιπλέον πληροφορίες
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|
Χαρακτηριστικά
Type Designator: 2SB976.
Material of Transistor: Si.
Polarity: PNP.
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.75 W.
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 25 V.
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 8 V.
Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A.
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 195 °C.
Transition Frequency (ft): 60 MHz.
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 200.
Package: TO92.
1,00 €
Μόνο 10 απομένουν σε απόθεμα
Είδος εξαρτήματος | Transistor |
---|